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30p-K-11 InAs/GaAs量子ドットにおけるドットサイズ分布と発光スペクトル
甲南大理、 ATR環境適応通研： 杉田和正、原邦彦、大西一洋、Pablo O.Vaccaro、梅津郁朗、杉村陽
2000年春期 第47回応用物理学関係連合講演会 (青山学院大学)
Event date： 2000.3
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31 a YC-3 希ガス中レーザーアブレーション法によって作製されたシリコンナノ結晶の発光に与える熱処理の効果
甲南大理、甲南大HRC、松下技研： 山崎玄、山口智宏、梅津郁朗、杉村陽、牧野利晴、鈴木信靖、山田由佳、吉田岳人
2000年春期 第47回応用物理学関係連合講演会 (青山学院大学)
Event date： 2000.3
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8pYL5 レーザーアブレーション法で作製したSi微粒子の顕微PL観察
稲田貢、梅本美紀、中川宏之、梅津郁朗、杉村陽
第48回応用物理学関係連合講演会 (明治大学)
Event date： 1111.11
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30aZD3 原子間力顕微鏡による陽極酸化を用いたa-Siのナノスケール酸化
吉田尊志、稲田貢、梅津郁朗、杉村陽
第48回応用物理学関係連合講演会 (明治大学)
Event date： 1111.11
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28pYL7 シリコン微粒子の発光における窒素及び酸素ラジカル処理を用いた表面処理効果
吉田謙一、十王寺勝哉、稲田貢、梅津郁朗、杉村陽
第48回応用物理学関係連合講演会 (明治大学)
Event date： 1111.11
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31pYD6 自己形成型InAs/GaAs量子ドット系でのドット間電子結合による横方向光電導特性(II)
佐藤慎也、大西一洋、稲田貢、梅津郁朗、杉村陽、Pablo O.Vaccaro
第48回応用物理学関係連合講演会 (明治大学)
Event date： 1111.11
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31pZF3 レーザーアブレーション法によるN2ガス雰囲気中でのシリコン窒化膜の作製(II)
山口智宏、河野公宗、稲田貢、梅津郁朗、杉村陽
第48回応用物理学関係連合講演会 (明治大学)
Event date： 1111.11
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28pYL6 レーザーアブレーション法により作製したSi微粒子の水素導入効果
中川宏之、稲田貢、梅津郁朗、杉村陽
第48回応用物理学関係連合講演会 (明治大学)
Event date： 1111.11