寺内 衛 (テラウチ マモル)
TERAUCHI Mamoru
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職名 |
教授 |
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学位 |
理学博士(東京大学), 理学修士(東京大学), 理学士(東京大学) |
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専門分野 |
科学教育, 科学技術論, 電子デバイス、電子機器, 情報教育, 情報学基礎論 |
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外部リンク |
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出身大学院 【 表示 ／ 非表示 】
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東京大学 理学系研究科 物理学専攻 博士課程 修了
1987年4月 - 1990年3月
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東京大学 理学系研究科 物理学専攻 修士課程 修了
1985年4月 - 1987年3月
学内職務経歴 【 表示 ／ 非表示 】
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甲南大学 マネジメント創造学部 マネジメント創造学科 教授
2017年4月 - 現在
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甲南大学 マネジメント創造学部 マネジメント創造学科 准教授
2013年4月 - 2017年3月
学外略歴 【 表示 ／ 非表示 】
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広島市立大学 情報科学部
1998年4月 - 2013年3月
国名：日本国
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株式会社東芝研究開発センター ULSI研究所
1990年4月 - 1998年3月
国名：日本国
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日本学術振興会
1989年4月 - 1990年3月
国名：日本国
所属学協会 【 表示 ／ 非表示 】
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米国電気電子学会（IEEE） Electron Device Society (EDS) Senior Member
2003年11月 - 現在
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情報処理学会 シニア会員
2019年10月 - 現在
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日本物理学会
1985年4月 - 現在
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応用物理学会
1986年4月 - 現在
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米国化学会（American Chemical Society）
2012年4月 - 現在
論文 【 表示 ／ 非表示 】
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『イノベーションのジレンマ』における「技術開発のSカーブ」という視点の限界について －“技術”の詳細を理解していない者による“技術経営論”に対する技術者からのコメント－
寺内 衛，寺内かえで
14 ( 1 ) 1 - 12 2024年3月
共著
担当区分：筆頭著者, 責任著者
C. M. Christensenが用いた「技術開発のSカーブ」という視点は，彼の著書『イノベーションのジレンマ』の根幹である．この「技術開発のSカーブ」がなぜ「S 字」になるのか？を考察し，Christensenには“見えなかった”ものを題材に「技術の詳細を理解しない視点の限界」を議論した．次に，既存技術を敢えて捨てることによってメーカーとして成功を収めた事例を例示し，最後に，持続的イノベーションがなされ得なくなった場合であっても，ひとたび現代社会のインフラ実現に不可欠となった技術は（経営者や投資家にとっては魅力の無いものになっていたとしても）最低限そのままで，可能であれば“その実現に係るコストをより低下させられ得る方法で”継承されていかざるを得ないことを指摘した．
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人体の基本的な機能に関するリテラシーについて：大学1回生へのアンケート結果 ―日本人は，なぜ屋外でもマスクをし続けているのか―
寺内 衛・寺内かえで
13 53 - 68 2023年3月
共著
担当区分：筆頭著者, 責任著者
日本におけるCOVID-19（SARS-CoV-2 感染症）第8 波が未だに収束していない2023 年1 月20 日，首相がSARS-CoV-2 感染症の感染症法の位置付けの変更の検討を厚生労働大臣らに指示した1が，果たして日本国民は感染症についての基礎的な知識をどの程度有しているのだろうか？2023 年に入り，（病院の休診日翌日に相当する日を除いて2）日々300 名以上のSARS-CoV-2 感染症による死亡者が発表され続けている3時点で，高等学校までに学んだはずの「感染症」や「人体の免疫機構」に関する知識を実際にどのくらい正しく認識しているのか？について，COVID-19 パンデミック開始後に大学に入学した1 年次生へ経時的に調査した結果に関して報告する．
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“コミュニケートされる情報”という視点から見た「芸術」について
寺内 衛・寺内かえで
13 35 - 51 2023年3月
共著
担当区分：筆頭著者, 責任著者
『芸術とは，創造者（発信者）によって受容者宛てになされた情報の発信様式であり，芸術表現・芸術作品とは，創造者と受容者とで共有される情報である』と定義し，芸術表現・芸術作品に用いられる“記録媒体”（表現媒体）の発明・進化と，その芸術表現・芸術作品の受容者並びにその芸術表現・芸術作品に係る『コスト負担者』を考えることによって，古代ギリシャ以降現代に至るまでの芸術並びに芸術作品の変遷が，洋の東西を問わず，合理的になされてきていることが理解される．
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「SIRS感染症モデル」から考える日本のCOVID-19対応について
寺内 衛・寺内かえで
13 1 - 17 2023年3月
共著
担当区分：筆頭著者, 責任著者
日本における2022 年のSARS-CoV-2 感染症による累積死亡者数は速報値で39,000 名を超え，2023 年1 月15 日現在で1 週間当たり2,900 名を超えていて未だにピークは見えていない（新規感染確認者数2の増加も同様である）．これは1 年間が52 週であることを考えれば，2023 年の間に10 万人以上の人命がSARS-CoV-2 感染症で失われる可能性があることを意味しているが，そのようなことは全く報道されていない．ワクチン接種の効果が時間の経過と共に減弱することが明らかになっているにも拘わらず追加接種率が低迷するなかで迎えた3 年ぶりの「行動制限の無い年末年始」がもたらすであろうものを2023年1月末時点で予測する．
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寺内 衛・寺内かえで
12 1 - 19 2022年3月
担当区分：筆頭著者, 責任著者
SARS-CoV-2感染症によるCOVID-19パンデミックは，それ以前の現代社会におけるさまざまな“歪み”を図らずもあぶり出した．そのような“歪み”のなかで特筆すべきものが極度の「専門家依存」であり，我々市民の多くが「自ら考え行動する」ことを放棄してしまい，パンデミック宣言後2年を経過しても混乱は続いている．人類が有する『知識』を体系的に融合してそれに基づく行動を一人ひとりが行なえるようにならない限り，「専門家依存」は解消されない。現状は，『知識』に関してフランス革命以前の封建制度に戻ってしまったことを意味している。今こそ「百科全書派」が目指した「知の共有」が必要とされている．
書籍等出版物 【 表示 ／ 非表示 】
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タウア・ニン『最新VLSIの基礎』第3版（日本語版）
宮本恭幸・内田 建・竹内 潔・寺内 衛（ 担当： 共訳 , 範囲: 第7章（SOI MOSFETおよびダブルゲートMOSFET），第12章（メモリデバイス））
丸善出版 2024年10月 （ ISBN:9784621310267 ）
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一般教育の情報
北上 始、寺内 衛、大場 充、双紙正和、馬場雅志、中野靖久、西 正博、森 康真、小嵜貴弘（ 担当： 共著 , 範囲: １章（情報と社会）、８章（情報コミュニケーション）、付録１（初等中等教育の学習指導要領））
あいり出版 2013年10月 （ ISBN:978-4-901903-83-7 ）
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三訂版 教養としての情報処理
寺内 衛、中野靖久、小嵜貴弘、河野英太郎（ 担当： 共著 , 範囲: ４章（ウェブブラウザによる情報収集）、５章（電子メール）、６章（文書作成-MS Wordを中心に-）、１２章（Webを利用した情報発信）、付録（何のために情報処理を学ぶか?））
大学教育出版 2010年4月
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ＳＯＩの科学
出水清史、大見忠弘、松村篤樹、中井哲弥、片山達彦、米原隆夫、坂口清文、楯 直人、中野正剛、土屋敏章、寺内 衛、他24名（ 担当： 共著）
リアライズ社 2000年4月
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応用物理用語大事典
著者２８０名（ 担当： 共著）
オーム社 1998年4月
総説・解説記事（Misc） 【 表示 ／ 非表示 】
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"Science" "Literacy" in Japan
Terauchi Mamoru, Kaede Terauchi
Seikei-Kenkyu 93 71 - 78 2009年
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On the Importance of Liberal Arts Education
Terauchi Mamoru, Kaede Terauchi, Mamoru Terauchi
Journal of Science Education in Japan 32 ( 3 ) 236 - 237 2008年
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Novel Operation Scheme for Realizing Combined Linear-Logarithmic Response in Photodiode-Type Active Pixel Sensor Cells
寺内 衛, Atsushi Hamasaki, Mamoru Terauchi and Kenju Horii
Japanese Journal of Applied Physics 45 ( 4B ) 3326 - 3329 2006年
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A ‘Self-Body-Biased’ SOI MOSFET: A Novel Body-Voltage-Controlled SOI MOSFET for Low Voltage Applications
寺内 衛, M. Terauchi and S. Funakoshi
Japanese Journal of Applied Physics 42 ( 4B ) 2014 - 2019 2003年
産業財産権 【 表示 ／ 非表示 】
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半導体装置及びその製造方法
吉見 信、寺内 衛、稲葉 聡、執行直之、松澤一也、村越 篤、松下嘉明、西山 彰、有隅 修、青木正身、安武ひとみ、尾崎 徹、浜本毅司、石橋 裕
特許番号/登録番号：特許第4047098号
出願国：国内
本発明は狭バンドギャップ領域を第１又は第２の主電極領域の少なくとも一方に具備したMOSFET等の絶縁ゲート型トランジスタ、及びこの絶縁ゲート型トランジスタを用いた集積回路等の半導体装置の構造及びその製造方法を提供することを特徴とする。
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Light-emitting element and method of fabrication thereof
G.Hatakoshi, H.Fujimoto, M.Terauchi
特許番号/登録番号：U.S.Patent 6,835,963
出願国：外国
本発明は、以下のような特徴を有する発光素子を実現する：窒化化合物半導体よりなる発光部分、及び、前記発光部分より発せられた光をその波長よりも小さな形状に変換し、かつ前記形状のまま光を出力する第一波面コンバータ、を有する発光素子。前記第一波面コンバータは、前記発光部分から発生された光の波長よりも小さい直径を有する微小開口部を有している。出力光が、この微小開口部を通じて外部に放出されるエヴァネッセント光を構成するようにされる場合には、極めて小さな光のスポットを得ることが可能である。また、本発明は、発光層及び前記発光層に電流を供給する一対の電極より構成される多層構造を有し、出力光が前記多層構造の最上部から放出され、前記一対の電極が前記発光表面から前記発光層側に掘り込まれているような表面発光型の発光素子にも関する。このような構造を取ることにより、前記発光表面を照射される物体に対して極めて近接させることが可能となる。前記発光部分から発せられる光を利用することにより、前記微小開口部が、自己整合的に開口されうる。結果として、本発明によって、光ディスクなどと共に用いるのに適したビーム特性を有する発光素子及びその製造方法が提供される。
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発光素子
藤本英俊、波多腰玄一、寺内 衛
特許番号/登録番号：特許第3559453号
出願国：国内
本発明の骨子は、短波長発光素子に波面変換部を集積させて設けることにより、光ディスク・システム等に使用できる良好なビーム特性の実現を可能とすることにある。すなわち、本発明の発光素子は、窒化物半導体からなる発光部と、前記発光部から放出される光の放射形状を、その波長よりも小さい放射形状に変換し 出力光として放出する第１の波面変換部と、を備えたことを特徴とする。
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Light emitting element and method of fabrication thereof
G.Hatakoshi, H.Fujimoto, M.Terauchi
特許番号/登録番号：U.S.Patent 6,611,003
出願国：外国
本発明は、以下のような特徴を有する発光素子を実現する：窒化化合物半導体よりなる発光部分、及び、前記発光部分より発せられた光をその波長よりも小さな形状に変換し、かつ前記形状のまま光を出力する第一波面コンバータ、を有する発光素子。前記第一波面コンバータは、前記発光部分から発生された光の波長よりも小さい直径を有する微小開口部を有している。出力光が、この微小開口部を通じて外部に放出されるエヴァネッセント光を構成するようにされる場合には、極めて小さな光のスポットを得ることが可能である。また、本発明は、発光層及び前記発光層に電流を供給する一対の電極より構成される多層構造を有し、出力光が前記多層構造の最上部から放出され、前記一対の電極が前記発光表面から前記発光層側に掘り込まれているような表面発光型の発光素子にも関する。このような構造を取ることにより、前記発光表面を照射される物体に対して極めて近接させることが可能となる。前記発光部分から発せられる光を利用することにより、前記微小開口部が、自己整合的に開口されうる。結果として、本発明によって、光ディスクなどと共に用いるのに適したビーム特性を有する発光素子及びその製造方法が提供される。
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半導体装置およびその製造方法
寺内 衛、上國料 学
特許番号/登録番号：特許第3431353号
出願国：国内
本発明は、リーク電流が発生し難く且つ製造コストが安価な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。第１の発明に係る半導体装置は、半導体基板上に誘電体層および半導体層を形成してなる複合基板に電界効果トランジスタを設けた半導体装置であって、前記半 導体層に形成された、第１導電型のソース・ドレイン領域を有する電界効果トランジスタが形成された複数の素子領域と、前記半導体層に形成された、前記複数 の素子領域を分離するための素子分離領域と、前記素子領域の外縁部周辺の膜厚が薄い領域に形成された、第２導電型の不純物が添加された、第２導電型の第１不純物領域と、前記半導体基板の表面近傍のうち、前記第１不純物領域および前記素子分離領域に覆われた領域に、前記第１不純物領域の前記ソース・ドレイン領域との境界部と平面位置が一致する周縁部を有するように形成された、第２導電型の第２不純物領域と、を備えたことを特徴とする。
研究費にかかる研究（調査）活動報告書 【 表示 ／ 非表示 】
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2024年度 “ユニバーサルリテラシー”の規定に関する研究
研究費の種類： 教員研究費
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2023年度 “科学リテラシー”“技術リテラシー”“情報リテラシー”の統合に関する研究
研究費の種類： 教員研究費
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2022年度 “科学リテラシー”“技術リテラシー”“情報リテラシー”の統合に関する研究
研究費の種類： 教員研究費
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2021年度 “科学リテラシー”“技術リテラシー”“情報リテラシー”の統合に関する研究
研究費の種類： 教員研究費
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2020年度 “科学リテラシー”“技術リテラシー”“情報リテラシー”の統合に関する研究
研究費の種類： 教員研究費
ティーチングポートフォリオ 【 表示 ／ 非表示 】
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2019年度
教育の責任（何をやっているか：主たる担当科目）：
数学的論理思考（1年次必修，2単位）・リベラルアーツ入門（1年次必修，2単位，2クラス）・科学技術と倫理（2年次以上選択，2単位）・芸術（2年次以上選択，2単位）・超領域研究プロジェクト（2年次以上選択，6単位，前後期各1クラスずつ）・卒業研究プロジェクト（4年次必修，8単位）・共通基礎演習（1年次選択，2単位，岡本キャンパス）
教育の理念（なぜやっているか：教育目標）：
甲南学園設立者である平生釟三郎が掲げた『個性を尊重して,天賦の智能を啓発する意味に於ての智育を施す』との全人教育（https://www.konan-u.ac.jp/gakuen/hirao/kotoba.html）を，平生釟三郎の名を冠した甲南大学マネジメント創造学部（学部名の英文正式表記：Hirao School of Management）において実践するため。
教育の方法（どのようにやっているか：教育の工夫）：
担当科目の講義の際，履修者の大学入学前の多様な学習履歴に対応するために，高等学校教育課程の内容を「復習」という形で必ず補い，履修者が大学卒業後に社会人としての責任を担う段階になった際に十全の基礎知識で臨めるよう，最大限の配慮をしている。さらに「なぜその科目内容を学ぶ必要があるのか？」を（例えば，経団連が公表しているPolicy(提言・報告書)原文http://www.keidanren.or.jp/policy/2019/037_honbun.pdfを配付することなどによって）履修生に納得させたのちに講義内容本体に取りかかるように努めている。
教育方法の評価・学習の成果（どうだったか：結果と評価）：
担当する全ての科目において，上記「なぜその科目内容を学ぶ必要があるのか？」を納得した履修生の講義に取り組む姿勢と納得していない者のそれとの差異が極めてはっきりしている。加えて，履修生に係る成績判定資料（定期試験答案・最終レポートなど）からは，科目に対する取り組みの姿勢と最終成績との間に正の相関が有為に存在していることが明らかである。
改善点・今後の目標（これからどうするか）：
担当科目履修者の学びに対する姿勢は社会情勢の変化に伴って常に変化するものであるため，新たな履修者と対峙するごとに「最適な動機付け方法の模索」を継続する。
根拠資料（資料の種類などの名称）：
シラバス・講義時配付資料・出席票（自由記述欄付き）・授業改善アンケート
所属学協会等の委員歴 【 表示 ／ 非表示 】
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2014年4月 - 2020年3月 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 ULSIデバイス研究委員会委員長
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2002年9月 - 2005年1月 応用物理学会 Japanese Journal of Applied Physics SSDM特集号担当編集委員
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2002年1月 - 2004年12月 応用物理学会 国際固体素子材料会議（SSDM）プログラム委員
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2001年1月 - 2020年3月 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 ULSIデバイス研究委員会幹事