論文 - 内藤 宗幸
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Ferrocene-Based Organic Semiconductors: Evaluating Intermolecular Transfer Integrals and Transistor Properties 査読あり
ACS Applied Electronic Materials 2024年6月
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High-performance bulk Bi0.4Sb1.6Te3.0 thermoelectrics prepared from nanocrystal precursor synthesized via chemical precipitation 査読あり
Ryosuke Fujiwara, Yohei Takashima, Takaaki Tsuruoka, Muneyuki Naito, Junya Murai, Kensuke Akamatsu
Journal of Solid State Chemistry 319 123777-1 - 123777-7 2023年3月
出版者・発行元：Elsevier BV
Bi-Sb-Te is a known p-type thermoelectric material with high thermoelectric performance near room
temperature. In this study, bulk Bi-Sb-Te materials are synthesized via spark plasma sintering using single
nanometer-sized nanocrystals as precursors, which are prepared in the solution phase by chemical precipitation
from metallic ions. The resultant bulk material exhibits high electrical conductivity and considerably low lattice thermal conductivity, due to the utilization of impurity-free nanocrystal precursors and local lattice distortions included inside grains acting as scattering nodes of phonons, respectively. -
Wako Matsumoto, Muneyuki Naito, Hiroshi Danjo
RSC Advances 13 ( 36 ) 25002 - 25006 2023年
出版者・発行元：Royal Society of Chemistry (RSC)
Spiroborate supramolecular and peapod polymers containing ruthenium(ii) tris(bipyridyl) complex were prepared, and their optical properties were evaluated.
DOI： 10.1039/d3ra03940d
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Chemical synthesis of single nanometer-sized Bi2-xSbxTe3.0 nanocrystals via direct precipitation process 査読あり
Ryosuke Fujiwara, Yohei Takashima, Takaaki Tsuruoka, Muneyuki Naito, Junya Murai, Kensuke Akamatsu
Results in Chemistry 4 100485 2022年8月
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Effect of B addition on fracture of reactively alloyed NiAl thin film 査読あり
D. Yasugi, K. Kodama, D. Goto, M. Naito, and T. Namazu
Journal of the Japanese Society for Experimental Mechanics 22 124 - 127 2022年6月
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Formation of Crystallographically Oriented Metastable Mg1.8Si in Mg Ion-Implanted Si 査読あり 国際共著
Yuki Kobayashi, Muneyuki Naito, Koichi Sudoh, Aurélie Gentils, Cyril Bachelet, and Jérôme Bourçois
Crystal Growth and Design 19 7138 - 7142 2019年
共著
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Synthesis of Metal Nanoparticles and Patterning in Polymeric Films Induced by Electron Nanobeam 査読あり
H. Yamamoto, T. Kozawa, S. Tagawa, M. Naito, J.-L. Marignier, M. Mostafavi, J. Belloni
J. Phys. Chem. C 2017年
共著
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Pulsed laser irradiation-induced microstructures in the Mn ion implanted Si 査読あり
M. Naito, R. Yamada, N. Machida, Y. Koshiba, A. Sugimura, T. Aoki, I. Umezu
Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B 2015年
共著
担当区分：筆頭著者
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Hyperdoping of silicon with deep-level impurities by pulsed YAG laser melting 査読あり
I. Umezu, M. Naito, K. Kawabe, Y. Koshiba, K. Nagao, A. Sugimura, T. Aoki, M. Inada, T. Saitoh, A. Kohno
Appl. Phys. A 2014年
共著
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Radiation-induced synthesis of metal nanoparticles in ethers THF and PGMEA 査読あり
H. Yamamoto, T. Kozawa, S. Tagawa, M. Naito, J.-L. Marignier, M. Mostafavi, J. Belloni
Rad. Phys. and Chem. 2013年
共著
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Interfacial reaction during dewetting of ultrathin silicon on insulator 査読あり
K. Sudoh, M. Naito
C. R. Physique 2013年
共著
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Nano-Scale Tensile Testing and Sample Preparation Techniques for Silicon Nanowires 査読あり
T. Fujii, K. Sudoh, S. Sakakihara, M. Naito, S. Inoue, T. Namazu
Jpn. J. Appl. Phys. 2013年
共著
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Formation of Silicon-on-Nothing Structures with Extremely Flat Surfaces 査読あり
K. Sudoh, J. Nakamura, M. Naito, K. Higuchi, K. Maenaka
Jpn. J. Appl. Phys. 2013年
共著
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Fabrication of highly oriented D03-Fe3Si nanocrystals by solid-state dewetting of Si ultrathin layer 査読あり
M. Naito, T. Nakagawa, N. Machida, T.Shigematsu, M. Nakao, K. Sudoh
Thin Solid Films 2013年
共著
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Interfacial reaction of Si islands on SiO2 during high-temperature annealing 査読あり
K. Sudoh, M. Naito
J. Appl. Phys. 2010年10月
共著
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Direct observations of Ge2Sb2Te5 recording marks in the phase-change disk 査読あり
Muneyuki Naito, Manabu Ishimaru, Yoshihiko Hirotsu, Rie Kojima, Noboru Yamada
J. Appl. Phys. 2010年4月
共著
担当区分：筆頭著者
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Formation process of b-FeSi2 from amorphous Fe-Si synthesized by ion implantation: Fe concentration dependence 査読あり
M. Naito, M. Ishimaru
Journal of Microscopy 2009年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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Transmission electron microscopy study of an electron-beam-induced phase transformation of niobium nitride 査読あり
J. Won, J. A. Valdez, M. Naito, M. Ishimaru, K. E. Sickafus
Scripta Materialia 2009年5月
共著
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Early stage of the crystallization in amorphous Fe-Si layers: Formation and growth of metastable a-FeSi2 査読あり
M. Naito, M. Ishimaru
Nucl. Instrum. Meth. B 2009年5月
共著
担当区分：筆頭著者
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Electron irradiation-induced phase transformation in α-FeSi2（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, J. A. Valdez, and K. E. Sickafus
J. Appl. Phys. 104 (2008) 073524(1)-073524(6). 2008年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Structural characterization of metastable iron silicides formed in the Fe ion implanted Si”（共著）
M. Naito and M. Ishimaru
Proceedings of the 9th Asia-Paciffic Microscopy Conference (Jeju, Korea, 2008) in press. 2008年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Formation process of β-FeSi2 from amorphous Fe-Si synthesized by ion implantation: Fe concentration dependence”（共著）
M. Naito and M. Ishimaru
Journal of Microscopy, accepted for publication. 2008年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Early stage of the crystallization in amorphous Fe-Si layers: Formation and growth of metastable α-FeSi2”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru
Nucl. Instrum. Meth. B, accepted for publication. 2008年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Transmission electron microscopy study of an electron-beam-induced phase transformation of niobium nitride”（共著）
J. Won, J. A. Valdez, M. Naito, M. Ishimaru, K. E. Sickafus.
Scripta Materialia, accepted for publication. 2008年11月
共著
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“Direct observations of thermally induced structural changes in amorphous Silicon carbide”（共著）
M. Ishimaru, A. Hirata, M. Naito, In-Tae Bae, Y. Zhang, and W. J. Weber
J. Appl. Phys. 104 (2008) 033503(1)-033503(5) 2008年11月
共著
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“Low temperature thermal annealing-induced α-FeSi2 derived phase in an amorphous Si matrix”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, J. A. Valdez, and K. E. Sickafus
Applied Physics A, 91(2008) 353-356. 353 - 356 2008年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Formation processes of iron silicide nanoparticles studied by ex situ and in situ transmission electron microscopy”（共著）
Jonghan Won, András Kovács, Muneyuki Naito, Manabu Ishimaru, and Yoshihiko Hirotsu
J. Appl. Phys. 102 (2007) 103512(1)-103512(7). 2007年11月
共著
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“Post-annealing recrystallization and damage recovery process in Fe ion implanted Si”（共著）
M. Naito, A. Hirata, M. Ishimaru and Y. Hirotsu
Nucl. Instrum. Meth. B 257 (2007) 340-343 2007年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Amorphous structure of ion-beam-synthesized Fe-Si thin layer”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu
Proceedings of the 16th International Congress on Electron Microscopy 1771 - 1772 2006年11月
共著
担当区分：筆頭著者
(Sapporo, Japan, 2006) p.1771-1772.
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“Formation process of β-FeSi2/Si heterostructure in high-dose Fe ion implanted Si”（共著）
M. Ishimaru, K. Omae, I.-T. Bae, M. Naito, Y. Hirotsu, J. A. Valdez and K. E. Sickafus
J. Appl. Phys. 99 (2006) 113527(1)- 113527(7). 2006年11月
共著
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“Solid phase crystallization of amorphous Fe-Si layers synthesized by ion implantation”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, J. A. Valdez and K. E. Sickafus
Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 251904(1)- 251904(3). 2006年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Structural investigation of Ge-Sb-Sn thin film using transmission electron microscopy”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, M. Takashima and H. Matsumoto
J. Materials Science 41 2615 - 2619 2006年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Structural characterization of amorphous Fe-Si and its recrystallized layers”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, J. A. Valdez and K. E. Sickafus
Nucl. Instrum. Meth. B 250 283 - 286 2006年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Structural evolution in Fe ion implanted Si upon thermal annealing”（共著）
K. Omae, I.-T. Bae, M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, J. A. Valdez and K. E. Sickafus
Nucl. Instrum. Meth. B 250 300 - 302 2006年11月
共著
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“Low-temperature crystallization caused by ultrasound in Pd42.5 Ni7.5 Cu30 P20 and Pd40 Ni40 P20 bulk metallic glasses”（共著）
T. Ichitsubo, E. Matsubara, K. Anazawa, N. Nishiyama, M. Naito and Y. Hirotsu
Mater. Sci. Eng. A, 442 273 - 277 2006年11月
共著
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“Identification of soft phonon modes in Ge-Sb-Te using electron diffraction”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu and M. Takashima
J. Appl. Phys. 98 (2005) 034506(1)-034506(4). 2005年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Transmission electron microscopy study on ion-beam-synthesized amorphous Fe-Si thin layers”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu, J. A. Valdez and K. E. Sickafus
Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 241905(1)- 241905(3). 2005年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Local structural change of amorphous Ge-Sb-Te thin film on annealing”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu and M. Takashima
J. Non-Cryst. Solids 345&346 112 - 115 2004年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Structure analysis of as-sputtered and melt-quenched Ge-Sb-Te thin film”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu and M. Takashima
Proceedings of the 8th Asia-Paciffic Conference on Electron Microscopy 608 - 609 2004年11月
共著
担当区分：筆頭著者
(Kanazawa, Japan, 2004) p.608-609.
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“Local structure analysis of Ge-Sb-Te phase change materials using high-resolution electron microscopy and nanobeam diffraction”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu and M. Takashima
J. Appl. Phys. 95 (2004) 8130-8135. 2004年11月
共著
担当区分：筆頭著者
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“Amorphous structures of silicon carbonitride formed by high-dose nitrogen ion implantation into silicon carbide”（共著）
M. Ishimaru, M. Naito, Y. Hirotsu and K. E. Sickafus
Nucl. Instrum. Meth. B 206 994 - 998 2003年11月
共著
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“Electron microscopy study on amorphous Ge-Sb-Te thin film for phase change optical recording”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu and M. Takashima
Jpn. J. Appl. Phys. 42 1158 - 1160 2003年11月
共著
担当区分：筆頭著者
L1158-1160
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“Amorphous structure of phase change optical recording media Ge-Sb-Te thin films”（共著）
M. Naito, M. Ishimaru, Y. Hirotsu and M. Takashima
Proceedings of Seminar on Nanotechnology for Fabrication of Hybrid Materials 93 - 96 2002年11月
共著
担当区分：筆頭著者
(4th Japanese-Polish Joint Seminar on Materials Analysis) (Toyama, 2002) p.93-96.
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“Amorphous structure of Ge-Sb-Te thin film”（共著）
M. Naito, T. Ohkubo, M. Ishimaru, Y. Hirotsu and M. Takashima
Proceedings of the 15th International Congress on Electron Microscopy 981 - 982 2002年11月
共著
担当区分：筆頭著者
(Durban, South Africa, 2002) p.981-982.