梅津 郁朗 (ウメヅ イクロウ)
UMEZU Ikurou
職名 |
教授 |
学位 |
工学博士(筑波大学) |
専門分野 |
電気電子材料工学, 応用物性, ナノ構造化学, ナノ材料科学, プラズマ科学, 薄膜、表面界面物性, 結晶工学, 無機材料、物性, ナノ構造物理, ナノバイオサイエンス |
外部リンク |
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梅津 郁朗 (ウメヅ イクロウ) UMEZU Ikurou
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筑波大学 第三学群 物理工学 卒業
1979年4月 - 1983年3月
筑波大学 工学研究科 博士課程 単位取得満期退学
- 1988年3月
筑波大学 理工学研究科 物理工学 修士課程 修了
1983年4月 - 1985年3月
甲南大学 教授
2007年4月 - 現在
甲南大学 助教授
1999年4月 - 2007年3月
甲南大学 理学部 講師
1996年4月 - 1999年3月
日本物理学会
1984年8月 - 現在
応用物理学会
1985年3月 - 現在
Materials Research society
2000年11月 - 現在
pulsed laser melting
その他の研究制度
研究期間: 2008年3月 - 現在
Effects of inter dot coupling in quantum dot ensemble
(選択しない)
研究期間: 2005年4月 - 現在
Nanocrystal/polymer composite material
(選択しない)
研究期間: 2000年4月 - 2007年3月
Pulsed laser deposition
(選択しない)
研究期間: 1995年4月 - 現在
Nanoscale silicon
(選択しない)
研究期間: 1995年4月 - 現在
Mixing of laser‐induced plumes colliding in a background gas 査読あり
Keita Katayama,Toshiki Kinoshita,Ren Okada,Hiroshi Fukuoka,Takehito Yoshida,Minoru Yaga,Tamao Aoki‐Matsumoto, Ikurou Umezu
Applied Physics A 128 2022年10月
担当区分:最終著者, 責任著者
リアルタイムオンライン指導により学生自身が自宅で行う実験・実習 査読あり
市田 正夫, 青木 珠緖, 秋宗 秀俊, 梅津 郁朗
物理教育 69 ( 4 ) 257 - 264 2021年
担当区分:最終著者
学生実験の作業化への懸念と対応 査読あり
梅津郁朗、青木珠緖、市田正夫、山﨑篤志、山本常夏
物理教育 68 268 - 272 2020年12月
共著
Expansion of laser-induced plume after the passage of a counter shock wave through a background gas 査読あり
Akira Higo, Keita Katayama, Hiroshi Fukuoka , akehito Yoshida, Tamao Aoki, Minoru Yaga, Ikurou Umezu
Applied Physics A 126 ( 4 ) 2020年3月
Effect of counter shock wave on the expanding plume
Katayama Keita, Horai Yuki, Fukuoka Hiroshi, Kinoshita Toshiki, Yoshida Takehito, Aoki Tamao, Umezu Ikurou
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 124 ( 2 ) 2018年2月
ナノ粒子生成のためのパルスレーザー誘起プラズマの進展制御
片山慶太, 福岡寛, 青木珠緒, 吉田岳人, 梅津郁朗
電気学会研究会資料 電子材料研究会 EFM ( 020-025 ) 5 - 7 2020年3月
掲載種別:研究発表ペーパー・要旨(全国大会,その他学術会議)
TiO2-based nanostructures for plasmonic photocatalytic applications synthesized by vapor-phase pulsed laser ablation
T. Yoshida, T. Araki, T. Imai, I. Umezu, M. Haraguchi
Proceedings & Abstract Book, Advanced Functional Materials Congress 66 - 66 2019年3月
Control of expansion processes by counter shock waves during pulsed laser ablation
K. Katayama, T. Kinoshita, H. Fukuoka, T. Yoshida, T. Aoki, I. Umezu
Tech. Digest of 11th International Conference on Photo-Excited Processes and Applications 68 2018年9月
パルスレーザーアブレーションにおける対向衝撃波のプルームダイナミクスへの影響
片山慶太, 木下稔基, 福岡寛, 吉田岳人, 青木珠緒, 梅津郁朗
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.19a‐A404‐8 2018年3月
気相パルスレーザーアブレーション法によるAgナノ粒子構造体の作製とその構造制御
荒木崇志, 吉田岳人, 梅津郁朗, 原口雅宣
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.19a‐A404‐6 2018年3月
Effects of Compressible flow on Pulsed Laser Ablation under high background gas pressure
Hiroshi Fukuoka, Minoru Yaga, Toshio Takiya, Ikurou Umezu
11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON LASER ABLATION (Playa del Carmen México )
開催年月日: 2011年11月
Controlling for crystal structures and morphologies of TiO2 nanoparticels de- posited by reactive pulsed laser ablation for photocatalyst applications
Takehito Yoshida, Nobuyasu Yagi, Akira Sugimura, Ikurou Umezu
11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON LASER ABLATION (Playa del Carmen México)
開催年月日: 2011年11月
Effect of collision between plumes during pulsed laser ablation on plume ex- pansion dynamics and on formation of hybrid nanoparticles
Ikurou Umezu, Naomichi Sakamoto, Hiroshi Fukuoka, Yasuhiro Yokoyama, Koichiro Nobuzawa, Akira Sugimura
11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON LASER ABLATION (Playa del Carmen México )
開催年月日: 2011年11月
Effect of Non-equilibrium Pulsed Ejection of Si Species into Background Gas on the Formation of Si Nanocrystallite and Nanocrystal-film
I. Umezu, S. Okubo and A. Sugimura
MRS fall meeting
開催年月日: 2010年11月 - 2010年12月
Synthesis of gallium nitride nanocrystallites by pulsed laser ablation in background gas of pure nitrogen
T. Yoshida, S. Kakumoto, A. Sugimura and I. Umezu
International Conference on Photo-excited Processes and Applications, ICPEPA7 (Denmark København)
開催年月日: 2010年8月
無機微粒子およびその製造方法
梅津郁朗、杉村陽、南隼人、妹尾早人、田辺美晴、武居正史
出願番号:特願2005-228763
出願国:国内
工業所有権の名称:無機微粒子およびその製造方法
発明者:梅津郁朗、杉村陽、南隼人、妹尾早人、田辺美晴、武居正史
権利者:バンドー化学株式会社
工業所有権の種類・番号:特許願・特願2005-228763
出願年月日、(取得年月日):2005.8.5
Correlation between PL emission band and growth of oxide layer on surface of silicon nanocrystallites The 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, Flagstaff, USA
2004年
Correlation between electronic structure and chemical bond on the surface of hydrogenated silicon nanocrystallites The 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, Flagstaff, USA
2004年
Approaches to prepare core-shell structured Si nanocrystal by pulsed laser ablation The 5th International Symposium on Laser Precision Microfabrication -SCIENCE AND APPLICATIONS-LPM2004, Nara, Jaapn
2004年
Correlation between electronic structure and chemical bond on the surface of hydrogenated silicon nanocrystallites
2004年11月
The 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, Flagstaff, USA, 2004, July 26-30, I. Umezu, T. Makino, M. Takata, M. Inada and A. Sugimura
Influence of preparation conditions on hydrogen passivated Si nanoparticles formed by pulsed laser ablation in hydrogen gas,
2004年11月
The 5th International Symposium on Laser Precision Microfabrication ,-SCIENCE AND APPLICATIONS -, Nara, Japan, 2004, 11-14 May, M. Inada, Ikurou Umezu and A. Sugimura
Approaches to prepare core-shell structured Si nanocrystal by pulsed laser ablation
2004年11月
The 5th International Symposium on Laser Precision Microfabrication -SCIENCE AND APPLICATIONS -LPM2004, Nara, Japan, 2004, 11-14 May, I. Umezu, T. Makino, M. Inada, K.-i. Yoshida and A. Sugimura
Preparation of surface controlled silicon nanocrystallites by pulsed laser ablation
2004年11月
The 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, Flagstaff, USA, 2004, July 26-30, I. Umezu, M. Inada, T. Makino and A. Sugimura
Correlation between PL emission band and growth of oxide layer on surface of silicon nanocrystallites
2004年11月
The 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, Flagstaff, USA, 2004, July 26-30, I. Umezu, M. Koyama, T. Hasegawa, K. Matsumoto, M. Inada and A. Sugimura
超音速で進展する2つのプラズマの衝突過程を用いた複合ナノ粒子の創成
2019年4月 - 2021年3月
学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
ガス中でのパルスレーザーアブレーション(PLA)法はプルームと呼ばれるパルスレーザー誘起プラズマを用いたナノ粒子創成法として知られている。申請者は2種類の対向するプラズマ(プルーム)を衝突させるダブルパルスレーザーアブレーション(DPLA)法を用いた複合ナノ粒子の創成を提案している。最近、我々は対向プルームの膨張によって発生する衝撃波がプルームの進展に大きく影響することを見いだし、プラズマ衝突過程の制御によって複合ナノ構造の制御が可能であることを指摘している。本研究ではプラズマ衝突過程の測定によりプラズマ衝突過程を明らかにするとともに、プルームの速度・温度・圧力および複合ナノ粒子形成に与える影響を明らかにする。得られた結果から、プラズマ衝突過程のモデルを提案し、プラズマ衝突過程の制御による複合ナノ粒子生成を目指す。本研究は衝突プラズマ現象を手軽に実験することが可能である系という意味合いも持つ。
2パルス励起プロセスを用いた非平衡的ナノ結晶成長制御
2015年4月 - 2018年3月
学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
2パルス励起プロセスを用いた非平衡的ナノ結晶成長制御
シリコンへの過飽和ドープによる巨大な赤外光吸収帯の出現と中間バンドの形成
2012年4月 - 現在
学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
パルス励起プロセスを用いると、シリコン単結晶中に不純物を過飽和ドープすることが可能であり、硫黄を過飽 和ドープした新物質からは新奇な赤外光吸収帯が見いだされている。しかし、過飽和状態での不純物の配置およ び準安定構造と赤外光吸収の相関は不明である。この光吸収帯は、硫黄の深い不純物準位がバンドとなり、中間 バンドを形成したことが原因である可能性が高く、ショックレー・クワイサー限界を超える高効率太陽電池材料 の可能性を示唆する。そこで本研究では、1)硫黄等のシリコン中で深い準位を形成する不純物物に対してパル ス励起プロセスを用いて過飽和ドープを行い、2)過飽和ドーププロセス、および過飽和状態がもたらす特徴的 な構造の変化と光吸収帯の相関を明らかにする。また、これらの結果から3)中間バンドの形成に関して議論を 行う。最終的にはこの新物質の中間バンド型太陽電池材料としての可能性を検討する。
パルス励起プロセスを用いたナノ結晶構造体の能動的制御
2009年4月 - 2011年3月
学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
パルス励起プロセスを用いたナノ結晶構造体の能動的制御
ナノ結晶シリコン集合体のフラクタル凝集次元制御と次元性の光学的特性に与える影響
2007年4月 - 2008年3月
学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(C)
ナノ結晶シリコン集合体のフラクタル凝集次元制御と次元性の光学的特性に与える影響
複合ナノクラスターによる高機能材料の創製とその応用
2006年4月 - 2007年3月
自治体 兵庫県COEプログラム推進事業
ナノ結晶シリコンのレーザーアブレーション過程と表面生成機構
2004年4月 - 2005年3月
その他財団等 日本板硝子材料工学助成会
生体機能性分子鎖による半導体ナノ結晶ネットワークの形成と電子物性の制御
2003年4月 - 2004年4月
その他財団等 倉田奨励金
シリコン薄膜へのナノ描画による物性制御
2000年4月 - 2001年3月
自治体 ひょうご科学技術協会 奨励研究助成
Siナノ結晶の非輻射再結合過程
1999年4月 - 2000年3月
その他財団等 稲盛財団助成金
非平衡プロセスを用いた環境機能性ナノ材料の創成
提供機関:関西大学、阿南高専、奈良高専 国内共同研究
2011年4月 - 現在
本研究は非平衡現象に着目した手法を用いてナノ材料の高機能化を目指すものである。材料形成時の動的過程を制御することができれば、新奇なナノ構造材料を創成するための革新的な技術となり得る。さらにナノ構造物質に対する非平衡な電子系の励起状態では多電子間の相互作用による機能性の向上が期待できる。そこで本研究では、これらの両面から非平衡励起状態の緩和の素過程の解明をおこなうことを目的とする。素過程の解明から材料作製、物性の解明、応用展開にわたる一連の研究を行うために協力関係が不可欠である。
複合ナノクラスターによる高機能材料の創製とその応用
国内共同研究
2006年7月 - 2008年3月
2021年度 半導体 ナノ構造半導体の創成と再生可能エネルギー材料への応用
研究費の種類: その他
2020年度 半導体 ナノ構造半導体の創成と再生可能エネルギー材料への応用
研究費の種類: その他
実験工房
半導体/電子デバイス物理
実験科目と講義科目の連携
実験を取り入れた力学の講義
2019年度
教育の責任(何をやっているか:主たる担当科目):
熱力学、半導体デバイス物理学、基礎物理学実験、ラボラトリーフィジックスI,II、物理学実験I,II、実験工房
教育の理念(なぜやっているか:教育目標):
高校までの教育で物理は公式を駆使して答えを出す学問と認識している学生が多い。それらの学生は自然現象を的確に捉え定量的に解析するという物理の魅力を感じることなく、機械のように答えを出し、正解を求める傾向がある。ただ卒業単位をそろえるだけのために勉強し、後には何も残っていない場合が多い。そこで物理の魅力を感じ、学生が自ら興味をもって学習する教育を目指している。
教育の方法(どのようにやっているか:教育の工夫):
講義科目では、なるべく身近な現象を取り扱い、それを定量的に取り扱うことによって物理の面白さと有用性を理解させる様に心がけている。実験科目は本来、物理の面白さを体感するのにうってつけの科目である。しかしながら多くの学生は早く終わらせて早く帰ることを目標としている。そこで理解をしながら自らのペースで主体的に実験を行う実験工房という科目を設け、ラボラトリーフィジックスでは教員は指導をせずに自ら考えて実験を行うテーマを取り入れている。さらに物理学実験や半導体物理学では定量的な計算以外に、目に見えない電子の動きを視覚化したアニメーションを用いて直感的な理解を促している。
教育方法の評価・学習の成果(どうだったか:結果と評価):
授業アンケートを見ると「教育の方法」に述べた事項を評価している学生も多いが、必ずしも好評ではない。これはこちらが物理の面白さを伝えても、学生の興味の対象は学問ではなく単位であることが原因であると考えられる。これに関しては学問に興味と価値を見いだせない学生の教育はやはり困難である。例えば「自ら考えて実験を行うテーマ」のアンケート結果は必ずしも好評ではない。その中で「他の実験よりもよく考えて実験を行ったか?」という設問に対しては「そう思う」という回答が多かった。やはり学生は考えることを嫌う傾向にあるようである。これは必ずしも好評でなかった原因が学生によく考えさせるテーマであったことを示し、学生の評価は低かったものの教育効果は高かったことを示す。これからも学生からの評価が低くても教育効果が高意教育を目指したい。
改善点・今後の目標(これからどうするか):
学問に興味と価値を見いだせない学生が増加している中で、学問の面白さと価値を教えるのは困難である。しかし、学生がすこしでも興味を持てる素材を今後も模索していく。
根拠資料(資料の種類などの名称):
http://kccn.konan-u.ac.jp/physics/semiconductor/top_frame.html
http://kccn.konan-u.ac.jp/labophys/top.php
https://www.youtube.com/watch?v=S408lGmeQz4
https://www.youtube.com/watch?v=74TCUskSjZ0
等
2019年8月 - 2022年7月 レーザプロセッシングを用いたナノ材料制御技術調査専門委員会 委員長
2016年5月 - 2019年4月 電気学会 ナノ材料作製のための最先端レーザプロセッシング 技術調査専門委員 委員
2014年12月 - 2017年11月 電気学会 持続可能な社会と先端技術を支えるレーザプロセシング技術 調査専門委員 委員
2011年11月 - 2014年12月 電気学会 サステナブル・先端応用へ向けたレーザプロセシング技術 調査専門委員会委員 委員