写真a

梅津 郁朗 (ウメヅ イクロウ)

UMEZU Ikurou

職名

教授

学位

工学博士(筑波大学)

専門分野

ナノ構造化学, 応用物性, 電子・電気材料工学, ナノ材料化学, プラズマ科学

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 1979年04月
    -
    1983年03月

    筑波大学   第三学群   物理工学   卒業

出身大学院 【 表示 / 非表示

  •  
    -
    1988年03月

    筑波大学  工学研究科  博士課程  単位取得満期退学

  • 1983年04月
    -
    1985年03月

    筑波大学  理工学研究科  物理工学  修士課程  修了

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2007年04月
    -
    継続中

    甲南大学   教授  

  • 1999年04月
    -
    2007年03月

    甲南大学   助教授  

  • 1996年04月
    -
    1999年03月

    甲南大学   理学部   講師  

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 1988年04月
    -
    1996年03月

      東京理科大学  

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 2000年11月
    -
    継続中
     

    Materials Research society

  • 1985年03月
    -
    継続中
     

    応用物理学会

  • 1984年08月
    -
    継続中
     

    日本物理学会

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • pulsed laser melting

    その他の研究制度  

    研究期間: 2008年03月  -  継続中

  • Effects of inter dot coupling in quantum dot ensemble

    (選択しない)  

    研究期間: 2005年04月  -  継続中

    Quantum confinement effect in single quantum dot is is well known. Although, interdot coupling in quantum dot ensemble is not well known. We investigate effect of inter dot coupling through optical and transport measurements.

  • Nanocrystal/polymer composite material

    (選択しない)  

    研究期間: 2000年04月  -  2007年03月

    Novel colloidal CdS quantum dot, CdS quantum dot possessing PEG tethered chains (PEG-TC) on the surface, was prepared by Prof.Nagasaki in Tsukuba University. New type of quantum dot ensemble is possible by linking inorganic quantum dots using organic PEG-TC. A dye molecule was combined to CdS quantum dot thorough PEG-TC and energy transfer from quantum dot to dye molecule was measured by time resolved photoluminescence. We estimated energy transfer rate and found that it is relatively high due to the large spectral overlap between defect PL emission band of CdS and absorption band of dye molecule.

  • Pulsed laser deposition

    (選択しない)  

    研究期間: 1995年04月  -  継続中

    Pulsed laser deposition in inert background gas is known as a potential technique to prepare nanocrystals. We found that surface hydrogenated silicon nanocrystal can be prepared by using hydrogen gas instead of inert gas. The surface of nanocrystal is stabilized by hydrogenation and the aggregation is reduced. The size of the primary structure is not sensitive to the background gas pressure, while the secondary structure depends on the background gas pressure. The secondary structure shows fractal structure and the fractal dimension of the secondary structure can be controlled by background gas pressure. We are interested in the correlation between fractal structure and optical and electronic properties.

  • Nanoscale silicon

    (選択しない)  

    研究期間: 1995年04月  -  継続中

    Quantum confinement effects are thought to be most important for the properties of Si nanocrystal. Although, studies of other effects such as surface and aggregation effects are very important for deep understandind of the nature of Si nanocrystal. The surface defects formed during the natural oxidation act as photoluminescence properties. We found correlation between surface defects and PL centers. Optical absorption also depends on the surface condition. We further pointed out that surface structure affects the aggregation mechanism. The optical bandgap energy and the electronic transport depend on the aggregated secondary structure. The electric transport of this aggregated material shows hopping conduction. We found that this hopping conduction has correlation with the fractal dimension of aggregated nanocrystal. These results indicate that the control of aggregated structure is a possible technique to modify macroscopic properties of nanocrystal-film.

全件表示 >>

論文 【 表示 / 非表示

  • Effect of counter shock wave on the expanding plume

    Katayama Keita, Horai Yuki, Fukuoka Hiroshi, Kinoshita Toshiki, Yoshida Takehito, Aoki Tamao, Umezu Ikurou

    APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING   124 ( 2 )   2018年02月

    共著

    DOI

  • Numerical Analysis of Behavior on Opposing Unsteady Supersonic Jets in a Flow Field with Shields

    T. Kinoshita, H. Fukuoka, and I. Umezu

    Materials Science Forum   910   96 - 101   2018年01月  [査読有り]

    共著

  • Effect of counter shock wave on the expanding plume

    K. Katayama, Y. Horai, H. Fukuoka, T. Kinoshita, T. Yoshida, T. Aoki, and I. Umezu

    Applied Physics A   124 ( 2 ) 045328-1 - 045328-4   2018年  [査読有り]

    共著

  • Lasing in organic mixed-crystal thin films with cavities composed of naturally formed cracks

    Mantoku Masaaki, Ichida Masao, Umezu Ikurou, Sugimura Akira, Aoki-Matsumoto Tamao

    OPTICS LETTERS   42 ( 8 ) 1528 - 1531   2017年04月

    共著

    DOI

  • e-beam irradiation effects on IR absorption bands in single-walled carbon nanotubes

    Ichida Masao, Nagao Katsunori, Ikemoto Yuka, Okazaki Toshiya, Miyata Yasumitsu, Kawakami Akira, Kataura Hiromichi, Umezu Ikurou, Ando Hiroaki

    SOLID STATE COMMUNICATIONS   250   119 - 122   2017年01月

    共著

    DOI

全件表示 >>

書籍等出版物 【 表示 / 非表示

  • 電気特性の測定, 評価とデータ解釈

    井上 雅博 他7名 (担当: 共著 )

    技術情報協会  2015年09月

総説・解説記事(Misc) 【 表示 / 非表示

全件表示 >>

講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • Effects of Compressible flow on Pulsed Laser Ablation under high background gas pressure

    Hiroshi Fukuoka, Minoru Yaga, Toshio Takiya, Ikurou Umezu

    11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON LASER ABLATION  (Playa del Carmen México )  2011年11月  -  2011年11月   

  • Controlling for crystal structures and morphologies of TiO2 nanoparticels de- posited by reactive pulsed laser ablation for photocatalyst applications

    Takehito Yoshida, Nobuyasu Yagi, Akira Sugimura, Ikurou Umezu

    11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON LASER ABLATION  (Playa del Carmen México)  2011年11月  -  2011年11月   

  • Effect of collision between plumes during pulsed laser ablation on plume ex- pansion dynamics and on formation of hybrid nanoparticles

    Ikurou Umezu, Naomichi Sakamoto, Hiroshi Fukuoka, Yasuhiro Yokoyama, Koichiro Nobuzawa, Akira Sugimura

    11th INTERNATIONAL CONFERENCE ON LASER ABLATION  (Playa del Carmen México )  2011年11月  -  2011年11月   

  • Effect of Non-equilibrium Pulsed Ejection of Si Species into Background Gas on the Formation of Si Nanocrystallite and Nanocrystal-film

    I. Umezu, S. Okubo and A. Sugimura

    MRS fall meeting  2010年11月  -  2010年12月   

  • Synthesis of gallium nitride nanocrystallites by pulsed laser ablation in background gas of pure nitrogen

    T. Yoshida, S. Kakumoto, A. Sugimura and I. Umezu

    International Conference on Photo-excited Processes and Applications, ICPEPA7  (Denmark København)  2010年08月  -  2010年08月   

全件表示 >>

産業財産権 【 表示 / 非表示

  • 無機微粒子およびその製造方法

    特願2005-228763 

    梅津郁朗、杉村陽、南隼人、妹尾早人、田辺美晴、武居正史

    工業所有権の名称:無機微粒子およびその製造方法
    発明者:梅津郁朗、杉村陽、南隼人、妹尾早人、田辺美晴、武居正史
    権利者:バンドー化学株式会社
    工業所有権の種類・番号:特許願・特願2005-228763
    出願年月日、(取得年月日):2005.8.5

その他研究活動・業績等 【 表示 / 非表示

  • Correlation between electronic structure and chemical bond on the surface of hydrogenated silicon nanocrystallites

    2004年11月  -  2004年11月

    The 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, Flagstaff, USA, 2004, July 26-30, I. Umezu, T. Makino, M. Takata, M. Inada and A. Sugimura

  • Correlation between PL emission band and growth of oxide layer on surface of silicon nanocrystallites

    2004年11月  -  2004年11月

    The 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, Flagstaff, USA, 2004, July 26-30, I. Umezu, M. Koyama, T. Hasegawa, K. Matsumoto, M. Inada and A. Sugimura

  • Preparation of surface controlled silicon nanocrystallites by pulsed laser ablation

    2004年11月  -  2004年11月

    The 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, Flagstaff, USA, 2004, July 26-30, I. Umezu, M. Inada, T. Makino and A. Sugimura

  • Approaches to prepare core-shell structured Si nanocrystal by pulsed laser ablation

    2004年11月  -  2004年11月

    The 5th International Symposium on Laser Precision Microfabrication -SCIENCE AND APPLICATIONS -LPM2004, Nara, Japan, 2004, 11-14 May, I. Umezu, T. Makino, M. Inada, K.-i. Yoshida and A. Sugimura

  • Influence of preparation conditions on hydrogen passivated Si nanoparticles formed by pulsed laser ablation in hydrogen gas,

    2004年11月  -  2004年11月

    The 5th International Symposium on Laser Precision Microfabrication ,-SCIENCE AND APPLICATIONS -, Nara, Japan, 2004, 11-14 May, M. Inada, Ikurou Umezu and A. Sugimura

全件表示 >>

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 超音速で進展する2つのプラズマの衝突過程を用いた複合ナノ粒子の創成

    基盤研究(C)

    研究期間:  2019年04月  -  2021年03月 

    ガス中でのパルスレーザーアブレーション(PLA)法はプルームと呼ばれるパルスレーザー誘起プラズマを用いたナノ粒子創成法として知られている。申請者は2種類の対向するプラズマ(プルーム)を衝突させるダブルパルスレーザーアブレーション(DPLA)法を用いた複合ナノ粒子の創成を提案している。最近、我々は対向プルームの膨張によって発生する衝撃波がプルームの進展に大きく影響することを見いだし、プラズマ衝突過程の制御によって複合ナノ構造の制御が可能であることを指摘している。本研究ではプラズマ衝突過程の測定によりプラズマ衝突過程を明らかにするとともに、プルームの速度・温度・圧力および複合ナノ粒子形成に与える影響を明らかにする。得られた結果から、プラズマ衝突過程のモデルを提案し、プラズマ衝突過程の制御による複合ナノ粒子生成を目指す。本研究は衝突プラズマ現象を手軽に実験することが可能である系という意味合いも持つ。

  • 2パルス励起プロセスを用いた非平衡的ナノ結晶成長制御

    基盤研究(C)

    研究期間:  2015年04月  -  2018年03月 

    2パルス励起プロセスを用いた非平衡的ナノ結晶成長制御

  • シリコンへの過飽和ドープによる巨大な赤外光吸収帯の出現と中間バンドの形成

    基盤研究(C)

    研究期間:  2012年04月  -  継続中 

    パルス励起プロセスを用いると、シリコン単結晶中に不純物を過飽和ドープすることが可能であり、硫黄を過飽 和ドープした新物質からは新奇な赤外光吸収帯が見いだされている。しかし、過飽和状態での不純物の配置およ び準安定構造と赤外光吸収の相関は不明である。この光吸収帯は、硫黄の深い不純物準位がバンドとなり、中間 バンドを形成したことが原因である可能性が高く、ショックレー・クワイサー限界を超える高効率太陽電池材料 の可能性を示唆する。そこで本研究では、1)硫黄等のシリコン中で深い準位を形成する不純物物に対してパル ス励起プロセスを用いて過飽和ドープを行い、2)過飽和ドーププロセス、および過飽和状態がもたらす特徴的 な構造の変化と光吸収帯の相関を明らかにする。また、これらの結果から3)中間バンドの形成に関して議論を 行う。最終的にはこの新物質の中間バンド型太陽電池材料としての可能性を検討する。

  • パルス励起プロセスを用いたナノ結晶構造体の能動的制御

    基盤研究(C)

    研究期間:  2009年04月  -  2011年03月 

    パルス励起プロセスを用いたナノ結晶構造体の能動的制御

  • ナノ結晶シリコン集合体のフラクタル凝集次元制御と次元性の光学的特性に与える影響

    基盤研究(C)

    研究期間:  2007年04月  -  2008年03月 

    ナノ結晶シリコン集合体のフラクタル凝集次元制御と次元性の光学的特性に与える影響

全件表示 >>

科研費以外の競争的資金獲得実績 【 表示 / 非表示

  • 複合ナノクラスターによる高機能材料の創製とその応用

    提供機関:  自治体  兵庫県COEプログラム推進事業

    研究期間: 2006年04月  -  2007年03月 

  • ナノ結晶シリコンのレーザーアブレーション過程と表面生成機構

    提供機関:  その他財団等  日本板硝子材料工学助成会

    研究期間: 2004年04月  -  2005年03月 

  • 生体機能性分子鎖による半導体ナノ結晶ネットワークの形成と電子物性の制御

    提供機関:  その他財団等  倉田奨励金

    研究期間: 2003年04月  -  2004年04月 

  • シリコン薄膜へのナノ描画による物性制御

    提供機関:  自治体  ひょうご科学技術協会 奨励研究助成

    研究期間: 2000年04月  -  2001年03月 

  • Siナノ結晶の非輻射再結合過程

    提供機関:  その他財団等  稲盛財団助成金

    研究期間: 1999年04月  -  2000年03月 

全件表示 >>

共同・受託研究活動実績(公開) 【 表示 / 非表示

  • 非平衡プロセスを用いた環境機能性ナノ材料の創成

    提供機関: 関西大学、阿南高専、奈良高専  国内共同研究

    研究期間: 2011年04月  -  継続中 

    本研究は非平衡現象に着目した手法を用いてナノ材料の高機能化を目指すものである。材料形成時の動的過程を制御することができれば、新奇なナノ構造材料を創成するための革新的な技術となり得る。さらにナノ構造物質に対する非平衡な電子系の励起状態では多電子間の相互作用による機能性の向上が期待できる。そこで本研究では、これらの両面から非平衡励起状態の緩和の素過程の解明をおこなうことを目的とする。素過程の解明から材料作製、物性の解明、応用展開にわたる一連の研究を行うために協力関係が不可欠である。

  • 複合ナノクラスターによる高機能材料の創製とその応用

    提供機関:   国内共同研究

    研究期間: 2006年07月  -  2008年03月 

共同研究希望テーマ 【 表示 / 非表示

  • パルスレーザーメルティング

  • レーザーアブレーションによる薄膜作製、ナノ結晶作製

 

その他教育活動及び特記事項 【 表示 / 非表示

  • 2009年04月
    -
    継続中

    実験工房

  • 2004年04月
    -
    継続中

    半導体/電子デバイス物理

  • 2004年04月
    -
    継続中

    実験科目と講義科目の連携

  • 2000年04月
    -
    2009年03月

    実験を取り入れた力学の講義

 

所属学協会等の委員歴 【 表示 / 非表示

  • 2019年08月
    -
    2022年07月

    レーザプロセッシングを用いたナノ材料制御技術調査専門委員会   委員長

  • 2016年05月
    -
    2019年04月

    電気学会 ナノ材料作製のための最先端レーザプロセッシング 技術調査専門委員   委員

  • 2014年12月
    -
    2017年11月

    電気学会 持続可能な社会と先端技術を支えるレーザプロセシング技術 調査専門委員   委員

  • 2011年11月
    -
    2014年12月

    電気学会 サステナブル・先端応用へ向けたレーザプロセシング技術 調査専門委員会委員   委員

  • 2009年09月
     
     

    日本物理学会   日本物理学会2009年秋季大会 現地実行委員

全件表示 >>

 

提供可能な資源 【 表示 / 非表示

  • 微弱光吸収の測定

    微弱光吸収の測定

  • シリコンナノ結晶の物性

    シリコンナノ結晶の物性

  • レーザーアブレーションによる薄膜作製、ナノ結晶作製

    レーザーアブレーションによる薄膜作製、ナノ結晶作製

おすすめURL 【 表示 / 非表示

  • 半導体/電子デバイス物理

    http://kccn.konan-u.ac.jp/physics/semiconductor/

    工学一般領域

  • 甲南大学理工学部物理学科 半導体研究室

    http://um.phys.konan-u.ac.jp/semicon/Welcome.html

    物理学