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小堀 裕己 (コボリ ヒロミ)

KOBORI Hiromi

職名

教授

学位

理学博士(大阪大学)

専門分野

(光物性・半導体・誘電体), (磁性・金属・低温), 電子・電気材料工学, 無機材料・物性

出身大学 【 表示 / 非表示

  • 1980年04月
    -
    1984年03月

    北海道大学   理学部   物理学科   卒業

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 1986年04月
    -
    1989年03月

    大阪大学  理学研究科  物理学  博士課程  修了

  • 0984年04月
    -
    1986年03月

    大阪大学  理学研究科  物理学  修士課程  修了

留学歴 【 表示 / 非表示

  • 1990年04月
    -
    1991年03月

    ニューヨーク州立大学   仁科記念財団海外派遣研究員

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 2012年04月
    -
    継続中

    甲南大学   理工学部   教授  

  • 2007年04月
    -
    2012年03月

    甲南大学   理工学部   物理学科   准教授  

  • 2001年10月
    -
    2007年03月

    甲南大学   理工学部   物理学科   助教授  

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 1995年04月
    -
    2001年09月

      大阪大学大学院   理学研究科  

  • 1993年04月
    -
    1995年03月

      大阪大学   理学部  

  • 1990年04月
    -
    1993年03月

      大阪大学   教養部  

  • 1990年04月
    -
    1991年03月

      仁科記念財団・海外派遣特別研究員  

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 2000年04月
    -
    継続中
     

    日本応用物理学会

  • 1984年04月
    -
    2018年03月
     

    日本物理学会

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 有機金属分解(MOD)法を利用した酸化物薄膜の作製と高機能化

    共同研究  

    研究期間: 2014年04月  -  継続中

  • 酸化物薄膜のスピンエレクトロニクスおよびマルチフェロイックスへの応用

    共同研究  

    研究期間: 2003年04月  -  継続中

  • 強磁場下における半導体中の金属・絶縁体転移と弱局在・反弱局在によるアンダーソン転移

    共同研究  

    研究期間: 1990年04月  -  2003年03月

  • 量子極限サイクロトロン共鳴の線幅の起源と強磁場中の電子散乱機構

    共同研究  

    研究期間: 1984年04月  -  1990年03月

論文 【 表示 / 非表示

  • Strong Hole Self-Doping in LaMnO3 Thin Film on a-SiO2 Substrate produced by Metal Organic Decomposition Method

    H. Kobori, T. Kitamura, T. Taniguchi and T. Shimizu

    Materials Science Forum     2019年  [査読有り]

    共著

  • Enhanced Magnetoresistance in Fe3O4/Si Thin Films Prepared by Rapid Thermal Deoxidation Method

    H. Kobori, N. Takata, A. Yamasaki, T. Taniguchi and T. Shimizu

    Proceedings of Asia-Pacific Engineering and Technology Conference     1012 - 1018   2017年  [査読有り]

    共著

  • Two-Current Spin-Dependent Conduction in Polycrystalline LaMnO3 Produced under Oxygen Gas Flow

    H. Kobori, A. Hoshino, T. Taniguchi, T. Horie, Y. Naitoh, and T. Shimizu

    AIP Conference Proceedings   1566   333 - 334   2014年  [査読有り]

    共著

  • Magneto-transport study of magnetite (Fe3O4) nanoparticles between Au nanogap electrodes on surface-oxidized Si substrate

    H. Kobori, N. Takata, N. Fukutome and T. Shimizu

    Journal of Magnetism and Magnetic Materials   331   88 - 91   2013年  [査読有り]

    共著

  • Magnetoresistance Intensification of Fe3O4/BaTiO3 Nanoparticle-Composite-Sinter Produced by Low Temperature Heat Treatment

    H. Kobori, K. Uzimoto, A. Hoshino, A. Yamasak, A. Sugimura, T. Taniguchi, T. Horie, Y. Naitoh and T. Shimizu

    The Journal of Superconductivity and Novel Magnetism   25   2809 - 2812   2012年  [査読有り]

    共著

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総説・解説記事(Misc) 【 表示 / 非表示

  • 電子散乱に強磁場の量子効果はどう効くか?-量子極限サイクロトロン共鳴の線幅を通して-

    小堀裕己、大山忠司、大塚穎三

    大阪大学低温センターだより ( 大阪大学 )  62   16 - 21   1988年04月

    総説・解説(大学・研究所紀要)   共著

  • GaAs-AlAs超格子中の深いドナー準位DXセンター : 深いエネルギー準位の束縛および共鳴エネルギーを制御する

    小堀裕己

    大阪大学低温センターだより ( 大阪大学 )  86   10 - 14   0994年04月

    総説・解説(大学・研究所紀要)   単著

講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • Strong Hole Self-Doping in LaMnO3 Thin Film on a-SiO2 Substrate produced by Metal Organic Decomposition Method

    H. Kobori, T. Kitamura, T. Taniguchi and T. Shimizu

    International Conference on Materials and Intelligent Manufacturing 2018  (Sapporo, Japan)  2018年08月  -  2018年08月   

  • Hole self-doping and magneto-conduction in LaMnO3 thin films produced by metal organic decomposition method

    H. Kobori, M. Yumoto, A. Yamasaki, T. Taniguchi, and T. Shimizu

    29th International Conference on Defects in Semiconductors  (Matsue, Japan)  2017年07月  -  2017年08月   

  • Enhanced Magnetoresistance in Fe3O4/Si Thin Films prepared by Rapid Thermal Deoxidation Method

    H. Kobori, N. Takata, A. Yamasaki, T. Taniguchi and T. Shimizu

    2016 International Symposium on Advances in Materials Science  (Shanghai, China)  2016年08月  -  2016年08月   

  • Large Spin-Dependent Magnetoresistance in Fe3O4/Si Thin Films Produced by Rapid Thermal Deoxidation Method

    H. Kobori, N. Takata, A. Yamasaki, T. Taniguchi, and T. Shimizu

    The 5th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies  (Niigata, Japan)  2015年06月  -  2016年06月   

  • Grain Crystallization Control and Large Magnetoresistance Emergence in Fe3O4/a-SiO2 Thin Films Produced by Rapid Thermal Deoxidation Method

    H. Kobori, T. Murakami, A. Yamasaki, T. Taniguchi, and T. Shimizu

    19th International Vacuum Congress  (Paris, France)  2013年09月  -  2013年09月   

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科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • ナノギャップ電極を用いた単一及び少数結合型ハーフメタル・ナノ微粒子の物性計測

    基盤研究(B)

    研究期間:  2009年04月  -  2012年03月 

    走査型電子顕微鏡の装置内に組み込まれたカーボンナノチューブ・プローブを用いて、単一および少数のナノ微粒子をナノギャップ電極中に設置したナノ微粒子計測用デバイスを作製した。そのデバイスを用いて、マグネタイト・ナノ微粒子の導電特性を計測した結果、接触抵抗の影響が非常に大きいことがわかった。その問題を克服するために、RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、ナノギャップ中に少数のマグネタイト・ナノ微粒子を埋め込んだ接触抵抗の小さいナノ微粒子計測用デバイスを作製する事に我々は成功した。その電気および磁気伝導特性を測定し、その輸送機構を明らかにした。

  • 生体機能性ポリマー鎖を用いた半導体ナノ結晶の配列制御

    萌芽研究

    研究期間:  2003年04月  -  2005年03月 

    本研究は半導体ナノ結晶がポリマー鎖を介在して結合した系を形成し配列させることを目的としている。生体ポリマー鎖を介在して結合したCdSナノ結晶と有機色素分子の系において約40%のエネルギー移動が起こっていることを示した。これらの結果は、生体センサーを開発していく際の設計指針を与えるものであると考えられる。

  • 縦型二重量子ドット中の電子の電子間相互作用とダイナミクスの研究

    基盤研究(C)

    研究期間:  2000年04月  -  2002年03月 

    1)GaAs/AlGaAs二重ヘテロ構造を用いて、縦型二重量子ドット構造を作成し、2層のドットの電子による吸収ピークを観測した。このドット構造における縦方向のバリア層であるAlGaAs層をパルスバンドギャップ光で励起した場合、励起強度、遅延時間変化とともにピークシフトを観測した。このピークシフトには2層のドット間の結合状態に関する情報が含まれることがシミュレーションより分かった。2)さらにこの結合状態変化を定量的に調べるため、短パルスレーザーを用いて高速時間分解光ルミネッセンス測定装置および時間分解光検知サイクロトロン共鳴測定装置を作成し、量子ドット構造作成の元となるGaA/AlGaAsヘテロ接合試料中の2次元電子系(2DEG)の発光ピーク(Hバンド)の励起光依存性を調べた。Hバンド発光が励起光の波長に強く依存すること、発光の時間変化が短パルス励起光以外にAlGaAs層を励起するために加えた光照射により特徴的なテイルを持つことが分かった。

  • 特殊界面を有する半導体のフォトルミネッセンスに対する共鳴サブミリ波変調効果

    基盤研究(C)

    研究期間:  1998年04月  -  2000年03月 

    マイクロ波および遠赤外レーザーを基本とする光検知サイクロトロン共鳴(ODCR)装置の組み上げと整備を行った。また、小型高感度分光器を採用したマルチ側光システムを完成させた。これらの装置を用いて行った研究成果の概要は以下の通りである。(1)基板上に成長させた薄膜のInGaAsに関するODCR測定を行い、薄膜と基板の界面には薄膜内部とは異なる不純物の偏析や歪みに起因する特殊な電子状態が存在することが判明した。(2)CaAs系の2次元電子系を基本とする量子ドットを作製し、それに関するODCR測定を行った。その結果、量子ドットの界面ポテンシャルが外部からの光励起によって影響を受け、内部に閉じ込められた電子状態が変調されることが判った。

  • 高速時間分解システムによる量子ドットのテラヘルツ光吸収測定

    基盤研究(C)

    研究期間:  1998年04月  -  2000年03月 

    単一および二重へテロ構造上に作成したドット配列のテラヘルツ光吸収を調べた。単一へテロ構造上のドット配列のテラヘルツ光吸収の励起強度依存性より,光励起下での高磁場側へのピークシフトが生ることを見いだした。またシフト量が励起強度に比例し,一定以上の強度ではバルクのGaAsの有効質量0.067m_0のサイクロトロン共鳴位置に収束していることを明瞭に観測出来た。これは光励起による垂直方向の閉じ込めポテンシャルの減少で説明できることを示した。さらにバンドパスフィルターを用いた光励起下でGaAs層のみを励起した場合でも、やはりピークシフトが生じることが分かった。

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共同研究希望テーマ 【 表示 / 非表示

  • ハーフメタル、遷移金属酸化物、半導体、強磁性体、強誘電体、強相関物質、マルチフェロイック物質の量子磁気輸送とスピントロニクスへの応用