写真a

小堀 裕己 (コボリ ヒロミ)

KOBORI Hiromi

職名

教授

学位

理学博士(大阪大学)

専門分野

スピントロニクス、マルチフェロイクス, 酸化物薄膜, 強相関酸化物, 無機材料、物性, 電気電子材料工学

外部リンク

出身学校 【 表示 / 非表示

  • 北海道大学   理学部   物理学科   卒業

    1980年4月 - 1984年3月

出身大学院 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学   理学研究科   物理学   博士課程   修了

    1986年4月 - 1989年3月

  • 大阪大学   理学研究科   物理学   修士課程   修了

    1984年4月 - 1986年3月

留学歴 【 表示 / 非表示

  • 1990年4月
    -
    1991年3月

    ニューヨーク州立大学   仁科記念財団海外派遣研究員

学内職務経歴 【 表示 / 非表示

  • 甲南大学   理工学部   教授

    2012年4月 - 現在

  • 甲南大学   理工学部   物理学科   准教授

    2007年4月 - 2012年3月

  • 甲南大学   理工学部   物理学科   助教授

    2001年10月 - 2007年3月

学外略歴 【 表示 / 非表示

  • 大阪大学大学院   理学研究科

    1995年4月 - 2001年9月

      詳細を見る

    国名:日本国

  • 大阪大学   理学部

    1993年4月 - 1995年3月

      詳細を見る

    国名:日本国

  • 大阪大学   教養部

    1990年4月 - 1993年3月

      詳細を見る

    国名:日本国

  • 仁科記念財団・海外派遣特別研究員

    1990年4月 - 1991年3月

      詳細を見る

    国名:日本国

所属学協会 【 表示 / 非表示

  • 日本物理学会

    1984年4月 - 2018年3月

  • 日本応用物理学会

    2000年4月 - 現在

 

研究経歴 【 表示 / 非表示

  • 有機金属分解(MOD)法を利用した酸化物薄膜の作製と高機能化

    共同研究  

    研究期間: 2014年4月  -  現在

  • 酸化物薄膜のスピンエレクトロニクスおよびマルチフェロイックスへの応用

    共同研究  

    研究期間: 2003年4月  -  現在

  • 強磁場下における半導体中の金属・絶縁体転移と弱局在・反弱局在によるアンダーソン転移

    共同研究  

    研究期間: 1990年4月  -  2003年3月

  • 量子極限サイクロトロン共鳴の線幅の起源と強磁場中の電子散乱機構

    共同研究  

    研究期間: 1984年4月  -  1990年3月

論文 【 表示 / 非表示

  • Magneto-Transport Properties and Hole Self-Doping due to Excess Oxygen Addition in Polycrystalline LaMnO3 査読あり

    H. Kobori,M. Sogabe, A. Hoshino, T. Taniguchi and T. Shimizu

    Materials Science Forum   1053   55 - 60   2022年2月

     詳細を見る

    担当区分:筆頭著者  

  • Evidence of Hole Self-Doping due to Excess Oxygen Addition in Polycrystal LaMnO3 査読あり

    Hiromi Kobori, Megumi Sogabe, A. Hoshino, A. Yamasaki, T. Taniguchi and T. Shimizu

    Materials Science Forum   1023   9 - 13   2021年3月

     詳細を見る

    単著

    担当区分:筆頭著者   出版者・発行元:Trans Tech Publications Ltd, Switzerland  

    We have presented the evidence of hole self-doping due to excess oxygen addition in
    polycrystal LaMnO3 (LMO). The polycrystal LMO samples were prepared by use of a solid-state
    reaction method. Powder mixtures with a molar ratio of 1:1 between La2O3 and Mn2O3 were
    pre-annealed at 1100ºC for 18 hours in the atmospheres of oxygen gas, helium gas and vacuum. By
    this heat treatment, non-crystalline LMO samples were produced. After that, the non-crystalline
    LMO samples were grinded and were pressed into pellets at the pressure of 3t/cm3. The pellets were
    annealed at 1100ºC and 1300ºC for 18 hours in the same atmospheres as the pre-annealing. Through
    these processes, polycrystal LMO samples were finally produced. To investigate crystallographic
    structure of the LMO samples, X-ray diffraction (XRD) measurements were performed by use of
    Cu-K radiation. From the experimental results of XRD measurements, we have found that all LMO
    samples have perovskite structure and are polycrystals. In addition, to investigate surface structure of
    the LMO samples, scanning electron microscope (SEM) measurements were carried out. Electrical
    resistivities (ERs) of the polycrystal LMO samples were measured as a function of temperature
    (4K-300K). The ERs of polycrystal LMO samples produced in an oxygen gas atmosphere show lower
    values as compared with other LMO ones in He gas and vacuum atmospheres. Especially, the
    temperature dependence of the ER for a polycrystal LMO sample produced at the annealing
    temperature of 1100ºC in an oxygen atmosphere shows a metallic behavior. Thus, we have
    considered that this LMO sample has the largest hole self-doping concentration in all LMO ones.

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.1023.9

  • Magneto-Transport Properties in LaMnO3 Thin Films on a-SiO2 Substrates Produced by Metal Organic Decomposition Method 査読あり

    H. Kobori,a, T. Kitamura, A. Yamasaki, T. Taniguchi and T. Shimizu

    Key Engineering Materials   853   63 - 67   2020年

     詳細を見る

    共著

    担当区分:筆頭著者  

  • Strong Hole Self-Doping in LaMnO3 Thin Film on a-SiO2 Substrate produced by Metal Organic Decomposition Method 査読あり

    H. Kobori, T. Kitamura, T. Taniguchi and T. Shimizu

    Materials Science Forum   2019年

     詳細を見る

    共著

    担当区分:筆頭著者  

  • Enhanced Magnetoresistance in Fe3O4/Si Thin Films Prepared by Rapid Thermal Deoxidation Method 査読あり

    H. Kobori, N. Takata, A. Yamasaki, T. Taniguchi and T. Shimizu

    Proceedings of Asia-Pacific Engineering and Technology Conference   1012 - 1018   2017年

     詳細を見る

    共著

    担当区分:筆頭著者  

全件表示 >>

総説・解説記事(Misc) 【 表示 / 非表示

講演・口頭発表等 【 表示 / 非表示

  • 有機金属分解(MOD)法を用いて作製したLa1-xSrxMnO3薄膜の電気および磁気伝導特性

    川口紗良、浜田康平、小堀裕己、山崎篤志、谷口年史、清水哲夫

    第83回応用物理学会秋期学術講演会  (仙台)  2022年9月  日本応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    国名:日本国  

  • Electrical Transport Properties of La1-xSrxMnO3 Thin Films produced by Meatal Organic Decom@psition Method

    H.Kobori, K. Hamada, S. Kawaguchi, T. Taniguchi and T. Shimizu

    29th International Conference on Low Temperature Physics  (Sapporo, Japan)  2022年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年8月

    国名:日本国  

  • 有機金属分解(MOD)法によるLa1-xSrxMnO3薄膜の作製とその電気および磁気伝導特性(II)

    浜田康平、西山歩夢、片岡晴信、小堀裕己、山崎篤志、谷口年史、清水哲夫

    第82回応用物理学会秋期学術講演会  (オンライン)  2021年9月  日本応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    国名:日本国  

  • 有機金属分解(MOD)法によるLa1-xSrxMnO3薄膜の作製とその電気および磁気伝導特性(I)

    浜田康平、西山歩夢、片岡晴信、小堀裕己、山崎篤志、谷口年史、清水哲夫

    第68回応用物理学会春季学術講演会  (オンライン)  2021年3月  日本応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    国名:日本国  

  • Evidence of Hole Self-Doping due to Excess Oxygen Addition in Polycrystal LaMnO3

    H. Kobori, M. Sogabe, A. Hoshino, A. Yamasaki, T. Taniguchi and T. Shimizu

    The 5th International Conference on Materials Technology and Applications  (Fukuoka, Japan)  2020年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    国名:日本国  

全件表示 >>

科研費(文科省・学振)獲得実績 【 表示 / 非表示

  • ナノギャップ電極を用いた単一及び少数結合型ハーフメタル・ナノ微粒子の物性計測

    2009年4月 - 2012年3月

    学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(B)

     詳細を見る

    走査型電子顕微鏡の装置内に組み込まれたカーボンナノチューブ・プローブを用いて、単一および少数のナノ微粒子をナノギャップ電極中に設置したナノ微粒子計測用デバイスを作製した。そのデバイスを用いて、マグネタイト・ナノ微粒子の導電特性を計測した結果、接触抵抗の影響が非常に大きいことがわかった。その問題を克服するために、RFマグネトロンスパッタリング法を採用し、ナノギャップ中に少数のマグネタイト・ナノ微粒子を埋め込んだ接触抵抗の小さいナノ微粒子計測用デバイスを作製する事に我々は成功した。その電気および磁気伝導特性を測定し、その輸送機構を明らかにした。

  • 生体機能性ポリマー鎖を用いた半導体ナノ結晶の配列制御

    2003年4月 - 2005年3月

    学術振興機構 科学研究費助成事業 萌芽研究

     詳細を見る

    本研究は半導体ナノ結晶がポリマー鎖を介在して結合した系を形成し配列させることを目的としている。生体ポリマー鎖を介在して結合したCdSナノ結晶と有機色素分子の系において約40%のエネルギー移動が起こっていることを示した。これらの結果は、生体センサーを開発していく際の設計指針を与えるものであると考えられる。

  • 縦型二重量子ドット中の電子の電子間相互作用とダイナミクスの研究

    2000年4月 - 2002年3月

    学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(C)

     詳細を見る

    1)GaAs/AlGaAs二重ヘテロ構造を用いて、縦型二重量子ドット構造を作成し、2層のドットの電子による吸収ピークを観測した。このドット構造における縦方向のバリア層であるAlGaAs層をパルスバンドギャップ光で励起した場合、励起強度、遅延時間変化とともにピークシフトを観測した。このピークシフトには2層のドット間の結合状態に関する情報が含まれることがシミュレーションより分かった。2)さらにこの結合状態変化を定量的に調べるため、短パルスレーザーを用いて高速時間分解光ルミネッセンス測定装置および時間分解光検知サイクロトロン共鳴測定装置を作成し、量子ドット構造作成の元となるGaA/AlGaAsヘテロ接合試料中の2次元電子系(2DEG)の発光ピーク(Hバンド)の励起光依存性を調べた。Hバンド発光が励起光の波長に強く依存すること、発光の時間変化が短パルス励起光以外にAlGaAs層を励起するために加えた光照射により特徴的なテイルを持つことが分かった。

  • 高速時間分解システムによる量子ドットのテラヘルツ光吸収測定

    1998年4月 - 2000年3月

    学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(C)

     詳細を見る

    単一および二重へテロ構造上に作成したドット配列のテラヘルツ光吸収を調べた。単一へテロ構造上のドット配列のテラヘルツ光吸収の励起強度依存性より,光励起下での高磁場側へのピークシフトが生ることを見いだした。またシフト量が励起強度に比例し,一定以上の強度ではバルクのGaAsの有効質量0.067m_0のサイクロトロン共鳴位置に収束していることを明瞭に観測出来た。これは光励起による垂直方向の閉じ込めポテンシャルの減少で説明できることを示した。さらにバンドパスフィルターを用いた光励起下でGaAs層のみを励起した場合でも、やはりピークシフトが生じることが分かった。

  • 特殊界面を有する半導体のフォトルミネッセンスに対する共鳴サブミリ波変調効果

    1998年4月 - 2000年3月

    学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(C)

     詳細を見る

    マイクロ波および遠赤外レーザーを基本とする光検知サイクロトロン共鳴(ODCR)装置の組み上げと整備を行った。また、小型高感度分光器を採用したマルチ側光システムを完成させた。これらの装置を用いて行った研究成果の概要は以下の通りである。(1)基板上に成長させた薄膜のInGaAsに関するODCR測定を行い、薄膜と基板の界面には薄膜内部とは異なる不純物の偏析や歪みに起因する特殊な電子状態が存在することが判明した。(2)CaAs系の2次元電子系を基本とする量子ドットを作製し、それに関するODCR測定を行った。その結果、量子ドットの界面ポテンシャルが外部からの光励起によって影響を受け、内部に閉じ込められた電子状態が変調されることが判った。

全件表示 >>

共同研究希望テーマ 【 表示 / 非表示

  • ハーフメタル、遷移金属酸化物、半導体、強磁性体、強誘電体、強相関物質、マルチフェロイック物質の量子磁気輸送とスピントロニクスへの応用

研究費にかかる研究(調査)活動報告書 【 表示 / 非表示

  • 2025年度  スピンエレクトロニクス スピンエレクトロニクスに関連した多機能デバイス材料の物性探索

    研究費の種類: その他

  • 2024年度  スピンエレクトロニクス スピンエレクトロニクスに関連した多機能デバイス材料の物性探索

    研究費の種類: その他

  • 2023年度  スピンエレクトロニクス スピンエレクトロニクスに関連した多機能デバイス材料の物性探索

    研究費の種類: その他

  • 2022年度  スピンエレクトロニクス スピンエレクトロニクスに関連した多機能デバイス材料の物性探索

    研究費の種類: その他

  • 2021年度  スピンエレクトロニクス スピンエレクトロニクスに関連した多機能デバイス材料の物性探索

    研究費の種類: その他

全件表示 >>

 

ティーチングポートフォリオ 【 表示 / 非表示

  • 2022年度

    教育の責任(何をやっているか:主たる担当科目):

    力学 I

    教育の理念(なぜやっているか:教育目標):

    力学 I では、大学ではじめて学ぶ力学の初級コースとして設定されている。高校の物理では使う事を許されていなかった微分・積分を用いて力学を数学的に再構築する。その中でも基本的な事項、エネルギー保存則、運動量保存則等をベクトルを用いた微分・積分を等して導く。そらに、その応用として、惑星の運動、ケプラーの法則、万有引力等を扱う。

    教育の方法(どのようにやっているか:教育の工夫):

    力学の教科書を指定し、それを基本として様々な補足事項を付け加えながら、図を多く用いて授業をしている。また、授業だけでは理解できない部分を演習問題を通して深く理解できるようにしている。講義ノートと演習問題は、MY KONANを通してpdfファイルで配布している。

    教育方法の評価・学習の成果(どうだったか:結果と評価):

    毎回、演習問題の課題を課している。課題点+出席点を20%、中間試験40%、定期試験40%として成績を評価している。

    改善点・今後の目標(これからどうするか):

    根拠資料(資料の種類などの名称):

全件表示 >>