|
|
野瀬 嘉太郎 (ノセ ヨシタロウ) NOSE Yoshitaro
|
大阪大学 工学研究科 マテリアル科学専攻 博士課程 単位取得満期退学
- 2004年5月
京都大学 工学研究科 材料工学専攻 修士課程 修了
- 2000年3月
滋賀県立大学 工学部材料科学科
2019年9月 - 2020年3月
京都大学大学院 工学研究科材料工学専攻
2013年4月 - 2026年3月
科学技術振興機構
2009年10月 - 2013年3月
京都大学大学院 工学研究科材料工学専攻
2007年3月 - 2013年3月
日本太陽光発電学会
2020年10月 - 現在
ニューセラミックス懇話会
Control of native defects via feed stoichiometry in Te-solvent THM-grown CdTe single crystals 査読あり
Hayato Tsuru, Akira Nagaoka, Isshin Sumiyoshi, Yoshitaro Nose, Kenji Yoshino
Japanese Journal of Applied Physics 2026年7月
Evaluation of cation ordering in ZnSnP2 via non-polarized Raman spectroscopy
Taro Kuwano, Yoshitaro Nose
Applied Physics Letters 2026年7月
Emerging inorganic solar cell efficiency tables (version 3) 査読あり
Bart Vermang, Edgardo Saucedo, Teodora Stoyanova Lyubenova, Teodor K Todorov, Jonathan D Major, Andriy Zakutayev, Yoshitaro Nose, Lydia Helena Wong, Xiaojing Hao, Jiang Tang, Thomas Unold, Aron Walsh
Journal of Physics: Energy 2026年7月
Phase stability and electrical transport properties of chalcopyrite-type ZnxCd1−xSnAs2 solid solutions 査読あり
Hiroki Ienaga, Keita Nomoto, Naoki Sato, Yoshitaro Nose, Tomoaki Nakaishi, Kenji Yoshino, Kensuke Nishioka, Akira Nagaoka
Journal of Alloys and Compounds 1076 189401 - 189401 2026年7月
Photoreflectance at operating bias links interface traps to photovoltaic performance in ZnSnP2 solar cells
Isshin Sumiyoshi, Yoshitaro Nose
Applied Physics Letters 2026年3月
カルコパイライト型リン化物太陽電池－カルコゲナイドとの違い－
太陽エネルギー 49 ( 3 ) 48 - 53 2023年5月
担当区分：筆頭著者, 責任著者 掲載種別：記事・総説・解説・論説等（学術雑誌）
凝固過程と構造相変態ダイナミクスを活用した CdSnAs2 系熱電材料の創製
2026年4月 - 2029年3月
学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
担当区分：研究代表者
液相フラックス制御スパッタリング法を利用した可視光応答水分解光電気化学セルの開発
2024年4月 - 2026年3月
学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
櫻井 岳暁, 池田 茂, 野瀬 嘉太郎
担当区分：研究分担者
低融点金属液相を反応場とした半導体気相成長プロセスの開拓
2024年4月 - 2026年3月
学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
野瀬 嘉太郎
担当区分：研究代表者
サイズ選択近接昇華プロセスの開発と高機能水分解光電極への応用
2021年7月 - 2024年3月
学術振興機構 科学研究費助成事業 挑戦的研究(萌芽)
池田 茂, 野瀬 嘉太郎
担当区分：研究分担者
ケルビン式で表される毛細管内での気体の沸点が細孔外の沸点よりも低下することで生じる毛細管凝縮は、毛細管内の液体の表面張力から導かれる気相－液相間の平衡に適用される。一方、気相－固相間の平衡においても、毛細管内で昇華曲線の低圧側へのシフトは理論的に予測されている。本研究では、この昇華点降下現象を硫化スズ(II)（SnS）を、陽極酸化ポーラスアルミナ膜（APAM）の細孔内に選択充填させることで実証することを第一の研究目的とする。また、ほかの昇華性半導体（CdTeおよびZnTe）にも本手法を応用し、p型化合物半導体のナノ構造形成の新しい手法として確立する。さらに、得られるナノ構造を高機能水分解光カソードとして利用することを第二の目的とする。今年度は、第一の目的についてはSnSの成膜（昇華）条件の検証についての実験系の作成と基礎データの収集に努めた。細孔充填に関する検証実験までは進めていないが、昇華成膜を行うためのシステムについての設計については一定の進展を得たと考えている。また、実験を進めるための化合物半導体（原料）の合成および探索を行なっていくなかで、フラックス処理によって単結晶された酸化物半導体光触媒について、ドーパンと添加によって水の光分解特性の高機能化が図れることを見出した。また、第二の目的の実証のため、Zn系p型薄膜についての光電気化学測定について電極作成および物性評価等を進めた結果、ZnTe系の薄膜において、水分解水素発生が効率よく進行することを見出した。
ワイドギャップ半導体におけるケミカルドーピングの学理構築と新材料開拓
2020年4月 - 2025年3月
学術振興機構 科学研究費助成事業 基盤研究(A)
大場 史康, 野瀬 嘉太郎, 高橋 亮
系統的な第一原理計算とその結果の機械学習により、無機化合物における固有点欠陥の形成挙動・電子状態と様々な形態でのドーパント添加によるキャリアドーピングの有効性を、半導体としての応用に関わる種々の基礎物性と併せて俯瞰的に考察し、ワイドギャップ半導体の設計・探索の指針を構築することを最終目的として研究を推進した。本年度は、昨年度から開発を進めている高精度と高速を両立させたハイスループット第一原理計算及び機械学習に基づいた基礎物性・安定性・キャリアドーピングの予測技術の高度化を進めるとともに、特定の既知・新規物質の基礎物性と点欠陥・キャリア形成挙動の詳細な考察、候補物質のハイスループットスクリーニングの試行、予測された物質の合成と電子・光学物性評価を継続した。その結果として、代表的なp型ワイドギャップ半導体である銅系複合酸化物の固有点欠陥とドーパントを改めて理論的に検討し、ドーピングに関わる様々な因子を明らかにすることで、新材料系を用いたp型ワイドギャップ半導体の設計及び探索のための有益な指針を得た（2021年10月にPhysical Review Materials 誌に出版）。また、3元系亜鉛窒化物に関して、2つの新物質の存在とそれらの結晶構造、電子構造、光学物性、点欠陥特性を第一原理計算により予測するとともに、各物質の合成及び評価実験から結晶構造と光学物性に関する理論予測を実証した（2021年4月及び10月にChemistry of Materials誌に2編の論文を出版）。その他、ハイスループット第一原理計算及び機械学習を用いた物質探索の効率化手法の開発に関して、上記の最終目的を達成する上での基盤的な成果を得た。
市立西宮高校GS科 SSH運営指導委員
役割：運営参加・支援
2026年4月 - 現在
